Exercício 30957

É muito comum a ocorrência de impurezas em cristais semicondutores. Em primeira apro- ximação, a energia de ionização dessas impurezas pode ser calculada num modelo semelhante ao do átomo de hidrogênio. Considere um semicondutor com uma impureza de carga +e atraindo um elétron de carga —e. Devido a interações com os átomos da rede cristalina, o elétron, no semicondutor, possui uma massa igual a m,mo, em que mo é a massa de repouso do elétron e m,, uma constante adimensional. O conjunto impureza /elétron está imerso no meio semicondutor de permissividade relativa s,. A razão entre a energia de ionização desta impureza e a energia de ionização do átomo de hidrogênio é igual a AOL B() m/e COm DOm/s. EO sm